三极管基本知识及电子电路图详解

　　早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。

　　发射区高：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的浓度，且发射结的面积较小;

　　集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的半导体，但集电区的浓度要低，面积要大，便于收集电子。

　　工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

　　UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

　　基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线时, IC0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开;

　　温度上升，、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

　　晶体管开关电路（工作在饱和态）在现代电路设计应用中屡见不鲜，经典的74LS，74ALS等集成电路内部....